特許

J-GLOBAL ID：200903080942976240

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置

発明者： 水口 徹也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-010763
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203702
出願日： 2004年01月19日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】 絶縁膜上に積層フェリ構造が形成された磁気抵抗効果素子であっても、積層フェリ構造内の反強磁性結合磁界が弱くなることを防止でき、また、耐熱性が確保された構成の磁気抵抗効果素子を提供する【解決手段】 一対の強磁性層5,7がトンネルバリア層6を間に挟んで形成され、少なくとも、トンネルバリア層6の上側に形成された強磁性層5が、積層フェリ構造とされ、積層フェリ構造が、トンネルバリア層6に接する側から、少なくとも、アモルファスあるいは微結晶組織を有する強磁性層51、結晶質強磁性層52、非磁性中間層53、強磁性層54の順で積層された構成の磁気抵抗効果素子1を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一対の強磁性層がトンネルバリア層を間に挟んで形成され、少なくとも、前記トンネルバリア層の上側に形成された前記強磁性層が、積層フェリ構造とされた磁気抵抗効果素子であって、 前記積層フェリ構造が、前記トンネルバリア層に接する側から、少なくとも、アモルファスあるいは微結晶組織を有する強磁性層、結晶質強磁性層、非磁性中間層、強磁性層の順で積層された構成である ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L43/08 ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

FI (7件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447

Fターム (13件)：

5E049AC05 ,  5E049CB01 ,  5E049CB02 ,  5E049CC08 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231784   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

審査官引用 (3件)

• 磁気記憶装置およびこれを用いた画像記録再生装置、ならびに装置,機器,機械もしくはシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-294421   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-249934   出願人：松下電器産業株式会社
• 強磁性トンネル接合素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-244755   出願人：株式会社日立製作所