特許
J-GLOBAL ID：200903081011387700

半導体集積回路およびその製造方法

発明者：
中嶋 節男

中嶋 節男 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-199117
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005724
出願日： 2004年07月06日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【目的】 耐熱性の低い基板を用いることができ、かつ軽く薄く、信頼性の高い半導体集積回路を提供する。【構成】 薄膜トランジスタ7及び8でなる半導体集積回路は製造用基板上に作製されたものを、その製造用基板から剥離して最終的な基板3に固定されている。そのため、基板の種類が製造用基板の種類に限定されることがなくなる。また、半導体集積回路を覆って形成された絶縁膜11の端部の形状をテーパー形状とする。こうすることで、この絶縁膜11上に形成された配線4の段切れがない構成とすることができ生産歩留りの向上や信頼性を高めることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板に作製された第1の配線と、 製造用基板上に作製されたものを剥離して前記基板に固定されており、前記第1の配線と電気的に接続された回路を有し、 前記回路は、前記第1の配線に電気的に接続された第2の配線と、薄膜トランジスタとを有し、 前記回路の主要部分は端部周辺がテーパー状の絶縁膜で覆われ、 前記絶縁膜上に、前記第2の配線が形成されていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件)：
H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786
FI (6件)：
H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 626C ,  H01L23/52 D
Fターム (33件)：
5F110AA04 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD30 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL06 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16
引用特許：
審査官引用 (29件)
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