レーザアニール方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樺澤襄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006989
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217104
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】アニール時のアブレーションの発生を低減できるレーザアニール装置を提供する。【解決手段】エキシマレーザビームの時間変化の波形は2つまたは3つのパルスを有する。最も早く出現する第1のパルス45の面積がパルス全体45,46,47の面積の55%以上である波形のエキシマレーザビームを照射する。第1のパルス45の面積がパルス全体45,46,47の面積の55%を下回ると、エキシマレーザビームで溶解されたアモルファスシリコンの到達温度が低下する。アモルファスシリコンの固化時間が変化する。粒界への不純物析出量が増加してアブレーションが発生する。ガラス基板上のアモルファスシリコンをアニールしてポリシリコンにする。アニール時に発生するアブレーションを低減できる。

請求項（抜粋）：

透光性基板上の非晶質シリコン半導体に向けて、時間変化の波形が2つまたは3つのパルスを有しこれらのパルスのうち最も早く出現する第1のパルスの面積がパルス全体の面積の55%以上である波形を有するレーザビームを照射して、前記非晶質シリコン半導体をアニールし、この非晶質シリコン半導体を多結晶シリコン半導体にすることを特徴とするレーザアニール方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 G , H01L 29/78 627 G

Fターム (36件)：

5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052CA08 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052JA01 , 5F110AA26 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP35

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-076014 出願人：松下電器産業株式会社
半導体結晶膜および該結晶膜の製造方法ならびに該結晶膜の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-131381 出願人：株式会社日本製鋼所
特開平1-052840

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