特許
J-GLOBAL ID：200903081091022023
半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045592
公開番号（公開出願番号）：特開2000-246676
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：
【要約】【課題】熱絶縁効率が高く、かつ製造プロセスが簡単で、小型・低消費電力で駆動可能な半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレーを提供することにある。【解決手段】半導体マイクロアクチュエータ7は、シリコン等により成る半導体基板3と、その内方に懸垂手段4を介して半導体基板3から懸垂されるシリコン等からなるとともに、懸垂手段4と熱膨張係数の異なる可動エレメント1により構成されている。この可動エレメント1は、中央のボス2とそれを挟んで略十字形状の脚部を構成する4つの梁6とを有しており、この梁6の上部に重なり合うように接触し形成されたポリイミド、フッ素化樹脂等からなる懸垂手段4が半導体基板3の表面と接合されて、半導体基板3と可動エレメント1が接合される。加熱手段5により梁6が加熱されると、梁6と懸垂手段4の熱膨張係数の差により梁6が撓んで、可動エレメント1が変位する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、外部要因により変位する可動エレメントと、前記可動エレメントの熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有するとともに、前記半導体基板と可動エレメントに接合されて前記可動エレメントを前記半導体基板から懸垂するための懸垂手段とから成り、前記可動エレメントの一部と前記懸垂手段の一部が重なり合うように接触し、前記可動エレメントの一部が温度変化したときに、前記懸垂手段との熱膨張差により前記可動エレメントが変位することを特徴とする半導体マイクロアクチュエータ。
IPC (8件)：
B25J 7/00
, B25J 19/00
, B62D 57/00
, F03G 7/06
, F16K 31/02
, F16K 31/70
, H01H 37/14
, H01H 37/52
B25J 7/00
, B25J 19/00 A
, F03G 7/06 G
, F16K 31/02 Z
, F16K 31/70 A
, H01H 37/14
, H01H 37/52 F
, B62D 57/00 B
3F060BA10
, 3F060GA00
, 3F060GA01
, 3F060HA00
, 3H057AA05
, 3H057BB32
, 3H057BB38
, 3H057CC04
, 3H057DD12
, 3H057EE10
, 3H057HH07
, 3H057HH11
, 3H062AA02
, 3H062AA04
, 3H062AA12
, 3H062BB30
, 3H062BB31
, 3H062CC29
, 3H062FF21
, 3H062HH02
, 3H062HH06
, 5G041AA13
, 5G041AA20
, 5G041CA01
, 5G041CC01
, 5G041CE10
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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