磁気抵抗メモリ装置とその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367145
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196030
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】磁気抵抗メモリ装置に於ける隣接する磁気抵抗素子間のリーク電流を低減し、情報の書き込みや読み出しの段階において誤りが生じる可能性が低減するような構造を有する。【解決手段】磁気抵抗メモリ装置において、強磁性体トンネル接合構造とダイオードが直列に接続されて構成されたメモリセルが複数個配置され、かつ、これらのメモリセル同士がお互いに電気的に絶縁分離されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上で一方向に沿って延在する複数の第1配線と、前記複数の第1配線上に配置された多数のメモリセルであって各メモリセルが互いに電気的に分離され、強磁性トンネル接合構造とダイオードとの直列接続を含む複数のメモリセルと、前記第1配線の表面および接続領域以外の前記メモリセルの表面を覆って形成された絶縁層と、前記複数のメモリセルに接続されて前記絶縁層上に配置され、前記一方向と交差する他方向に沿って延在する複数の第2配線とを有する磁気抵抗メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/15 , H01L 29/872 , H01L 43/08

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 29/48 M

Fターム (31件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD29 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104EE08 , 4M104GG03 , 4M104GG16 , 5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA06 , 5F083GA11 , 5F083GA15 , 5F083JA02 , 5F083JA32 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083PR04 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR36

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-344383
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-318732 出願人：大見忠弘
磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-058777 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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