半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-027116
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192924
出願日： 2007年02月06日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

【課題】超高速アニールプロセスにおける加熱応力によるウェハ破壊の頻度を抑圧することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板31の主表面の面積よりも小さい領域を該主表面の裏面から補助加熱する補助加熱源を用いて、前記半導体基板31の中心部より外周部がより高い温度となるように補助加熱した状態で、前記半導体基板31の前記主表面に0.1m秒以上100m秒以下のパルス幅を有するフラッシュランプ光を照射し、その照射エネルギーによって熱処理する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面の面積よりも小さい領域を該主表面の裏面から補助加熱する補助加熱源を用いて、前記半導体基板の中心部より外周部がより高い温度となるように補助加熱した状態で、前記半導体基板の前記主表面に0.1m秒以上100m秒以下のパルス幅を有するフラッシュランプ光を照射し、その照射エネルギーによって熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 , H01L 21/26 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (5件)：

H01L21/265 602B , H01L21/26 J , H01L21/26 Q , H01L29/78 301F , H01L27/08 321E

Fターム (50件)：

5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA13 , 5F140AA34 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BG56 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK03 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CF04 , 5F140DA03

引用特許：

出願人引用 (9件)

熱処理装置および熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-330230 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特公昭62-44847
特公平2-5295

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審査官引用 (1件)

熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-242119 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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