半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332368
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148423
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】有機層間膜にスルーホールを寸法制御性良く、所望の形状で得ることができると共に、粗密効果がなく、低誘電率有機膜を平坦化できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】プラグ108と同一形状の犠牲部103を形成する工程、犠牲部103の側壁にSiNサイドウオール104bを形成する工程、サイドウオール104bで囲まれた犠牲部103を除去する工程、有機層間膜105a、105bを形成する工程、サイドウオール104bで囲まれた有機層間膜105bのみを除去する工程でスルーホール110を形成する。

請求項（抜粋）：

有機層間膜を垂直方向に貫通するプラグを設けるべき基板の所定の部分に前記プラグと同一形状の犠牲部を形成する工程と、前記犠牲部の側壁に第1無機質材料で構成されるサイドウオールを形成する工程と、前記サイドウオールで囲まれた犠牲部を除去する工程と、前記サイドウオールで囲まれた前記犠牲部が消滅した空間部分も含めて有機層間膜を形成する工程と、前記サイドウオールで囲まれた前記有機層間膜のみを除去してスルーホールを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/28 M , H01L 21/90 B , H01L 21/302 J , H01L 21/90 S

Fターム (47件)：

4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD20 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104EE18 , 4M104FF23 , 4M104HH09 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 5F004AA04 , 5F004DA01 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB07 , 5F004DB26 , 5F004EA12 , 5F004EA26 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F033HH13 , 5F033JJ01 , 5F033JJ13 , 5F033KK13 , 5F033KK18 , 5F033MM05 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ92 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033TT04 , 5F033TT07 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX14

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-231185 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-012412 出願人：株式会社東芝
選択CVD法による配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-276737 出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド

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