窒化ガリウム・インジウム結晶層の気相成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013852
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216096
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】量子箱或いは量子ドットとして機能できる微結晶体を従属相として含む多相構造の窒化ガリウム・インジウム結晶層が効率良く形成できる気相成長方法を提供する。【解決手段】基板上に、結合価を1価とするシクロペンタジエニルインジウム(C<SB>5</SB> H<SB>5</SB> In(I))をインジウム原料に用い、該インジウム原料に対して珪素(Si)元素の濃度にして0.1〜100重量ppmの有機珪素化合物を不純物として同時に添加しながら、有機金属熱分解気相成長法により窒化ガリウム・インジウム(Ga<SB>X</SB> In<SB>1-X</SB> N:0≦X<1)結晶層を形成する。また、窒化ガリウム・インジウム結晶層を、基板上に形成されたIII 族窒化物半導体層上に接して形成する。

請求項（抜粋）：

有機金属熱分解気相成長法による窒化ガリウム・インジウム結晶層の気相成長方法において、基板上に、結合価を1価とするシクロペンタジエニルインジウム(C<SB>5</SB> H<SB>5</SB> In(I))をインジウム原料に用い、該インジウム原料に対して珪素(Si)元素の濃度にして0.1〜100重量ppmの有機珪素化合物を不純物として同時に添加しながら、有機金属熱分解気相成長法により窒化ガリウム・インジウム(Ga<SB>X</SB> In<SB>1-X</SB> N:0≦X<1)結晶層を形成することを特徴とする窒化ガリウム・インジウム結晶層の気相成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01S 3/18 673

Fターム (21件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE29 , 5F045AF09 , 5F045CA09 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F073AA74 , 5F073AA75 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (7件)

III族窒化物半導体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-119633 出願人：昭和電工株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-294711 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平3-252175

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