特許
J-GLOBAL ID：200903069133582520

紫外線発光素子

発明者：
岡川 広明

岡川 広明 について

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只友 一行

只友 一行 について

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大内 洋一郎

大内 洋一郎 について

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常川 高志

常川 高志 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073871
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218396
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 InGaNが発光層の材料である紫外線発光素子の構造を最適化することによって、より高出力の紫外線発光素子を提供すること。【解決手段】 結晶基板B上に、バッファ層を介してまたは直接的に、GaN系結晶層からなる積層構造Sを、発光部を含んで形成する。該発光部は多重量子井戸構造とし、かつ、井戸層には紫外線発光可能なInGaNを用い、井戸層の数を2〜20、障壁層の厚さを7nm〜30nmとする。これによって、発光層にInGaNを用いながら、高出力の紫外線発光が得られる。
請求項（抜粋）：
結晶基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、GaN系結晶層からなる積層構造が形成され、該積層構造には、p型層とn型層とを有して構成される発光部が含まれているGaN系半導体発光素子であって、該発光部は多重量子井戸構造を有し、かつ、井戸層が紫外線発光可能なInGaN系材料からなり、井戸層の数が2〜20、障壁層の厚さが7nm〜30nmであることを特徴とする紫外線発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610
Fターム (15件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (6件)
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