特許
J-GLOBAL ID：200903081327628068

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
松舘 みつき

松舘 みつき について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-070789
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250736
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】窒化物系の半導体材料においては、ドライエッチングによる端面ダメージ、および転位や欠陥の発光領域への伝播を抑え、発光特性や信頼性への悪影響を排除することは困難であった。【解決手段】半導体レーザ装置は、基板1の領域R11上に設けられた第1導電型のクラッド層2と、基板1の領域R11に隣接する領域R12上に設けられた第1導電型の電極8と、クラッド層2の領域R21上に設けられた活性層3と、活性層3上に設けられ、電流狭窄部を構成する第2導電型のクラッド層5と、を備えている。平面視で領域R21と領域R12との間に位置する、クラッド層2の領域R22は、その上面の高さが活性層3の下面の高さ以下であり且つ基板1の領域R12の上面の高さよりも高い転位伝播防止領域である。また、上記電流狭窄部と上記転位伝播防止領域とは、平面視で、互いに離間している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の第1領域上に設けられた第1導電型の第1のクラッド層と、 前記基板の前記第1領域に隣接する第2領域上に設けられた前記第1導電型の電極と、 前記第1のクラッド層の第1領域上に設けられた活性層と、 前記活性層上に設けられ、電流狭窄部を構成する第2導電型の第2のクラッド層と、を備え、 平面視で前記第1のクラッド層の前記第1領域と前記基板の前記第2領域との間に位置する、前記第1のクラッド層の第2領域は、その上面の高さが前記活性層の下面の高さ以下であり且つ前記基板の前記第2領域の上面の高さよりも高い転位伝播防止領域であり、 前記電流狭窄部と前記転位伝播防止領域とは、平面視で、互いに離間していることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
H01S 5/323
FI (1件)：
H01S5/323 610
Fターム (11件)：
5F173AA08 ,  5F173AF12 ,  5F173AH22 ,  5F173AK22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP35 ,  5F173AP43 ,  5F173AP73 ,  5F173AP82 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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