特許
J-GLOBAL ID：200903061322256170
高温圧縮炭化ケイ素ウェハー及びダミーウェハーとしてのその使用方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-538602
公開番号（公開出願番号）：特表2000-505043
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：
【要約】本発明は、低い鉄不純物レベルを持つ高温圧縮炭化ケイ素ダミーウェハー、及びシリコンウェハー処理の用途での高温圧縮炭化ケイ素ダミーウェハーの使用方法に関する。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハーの処理における炭化ケイ素セラミックウェハーの使用方法であって、以下のa)及びb)の工程を含む方法。 a)ウェハーの挿入のために形成された複数のスロットを持ち、第1のスロットはシリコンウェハーを挿入されており、第2のスロットは炭化ケイ素ダミーウェハーを挿入されているウェハーボートを供給する工程であって、該炭化ケイ素ダミーウェハーが約0.3mm〜約1.0mmの厚さ、少なくとも125mmの直径、独立気孔、少なくとも5μmのD90粒度、少なくとも8のWeibull係数、及び理論密度の少なくとも約90%の密度を持ち、更に、 i)少なくとも約90重量%の炭化ケイ素粒子であって、1μm〜4μmのD50を持つSiC粒子、及び ii)5重量%未満の遊離シリコン、を含むものである工程。 b)装填されたボートを、温度が300°C〜900°Cの雰囲気に少なくとも0.5時間さらす工程。
IPC (3件)：
C04B 35/626
, C04B 35/565
, H01L 21/02
C04B 35/56 101 P
, H01L 21/02 B
, C04B 35/56 101 B
