特許
J-GLOBAL ID:200903081414019221
添加剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
荒船 博司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-182448
公開番号(公開出願番号):特開2002-040635
出願日: 2001年06月15日
公開日(公表日): 2002年02月06日
要約:
【要約】【課題】フォトレジスト組成物に添加されレジストフロー工程に適用するに適した性質を有する添加剤を提供する。【解決手段】本発明は、ガラス転移温度が非常に高くレジストフロー工程に適用するに困難な重合体を含むフォトレジスト組成物に、ガラス転移温度(Tg)の低い下記式(1)で示される化合物を添加剤として添加することにより、フォトレジスト組成物に全体的に円滑な流れが生じ、レジストフロー工程に適用させることできる。【化1】前記式で、Aは水素又は-OR''で、Bは水素又は-OR'''であり、R、R'、R''、及びR'''は、それぞれ炭素数1〜10の間のアルキル、炭素数1〜10の置換されたアルコキシアルキル、炭素数1〜10の間の置換されたアルキルカルボニル、又は一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の間の置換されたアルキルである。
請求項(抜粋):
レジストフロー(Resist Flow)工程用フォトレジスト組成物の添加剤であって、下記式(1)で示される化合物であることを特徴とする添加剤。【化1】(前記式で、Aは水素又は-OR''で、Bは水素又は-OR'''であり、R、R'、R''、及びR'''は、それぞれ炭素数1〜10の間の側鎖又は主鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の間の側鎖又は主鎖置換されたアルコキシアルキル、炭素数1〜10の間の側鎖又は主鎖置換されたアルキルカルボニル、又は一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖又は主鎖置換されたアルキルである。)
IPC (6件):
G03F 7/004 501
, C08F222/06
, G03F 7/039 601
, G03F 7/40 501
, H01L 21/027
, C08F232:04
FI (7件):
G03F 7/004 501
, C08F222/06
, G03F 7/039 601
, G03F 7/40 501
, C08F232:04
, H01L 21/30 570
, H01L 21/30 502 R
Fターム (34件):
2H025AA00
, 2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB10
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025CC20
, 2H025FA29
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA05
, 2H096EA23
, 2H096GA08
, 2H096HA01
, 2H096HA30
, 4J100AK32P
, 4J100AR11Q
, 4J100BA03Q
, 4J100BA15Q
, 4J100BA16Q
, 4J100BA20Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
, 5F046AA28
引用特許:
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