特許
J-GLOBAL ID：200903081415966240

メタルベース半導体パッケージとその製造方法

発明者：
森田 守次

森田 守次 について

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牧野 繁男

牧野 繁男 について

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田中 淳介

田中 淳介 について

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田中 博文

田中 博文 について

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大川戸 悦夫

大川戸 悦夫 について


出願人/特許権者：
三井化学株式会社

三井化学株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-349012
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174164
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 メタルシートを支持体とし、かつ、その上に形成された耐熱性熱可塑性樹脂を必須成分とする絶縁層上の銅箔に回路加工が施されている半導体用メタルパッケージにおいて、ワイヤボンド用ニッケル金メッキを合理的、簡潔に行うために、ワイヤボンドパッド用のニッケル金メッキをワークボード状態で行った後に絞り加工および外形加工を行い、個片またはフレーム状のキャビティー付きメタルベース半導体パッケージを提供する。【解決手段】 伸び率が15%以上であるメタルシートと、耐熱性熱可塑樹脂を必須成分とし伸び率が20%以上である絶縁層とおよび、その上に形成された伸び率が20%以上である銅箔とから構成され、かつ、その銅箔に回路加工が施されている半導体用メタルパッケージにおいて、キャビティーを形成するための絞り部、曲げ部のメタルシート部分、銅回路部分を、ワイヤボンド用金属メッキ前に伸び率が20%以上である耐熱性ポリマーで被覆してNiメッキがつかないようにする。
請求項（抜粋）：
絞り加工または曲げ加工によってキャビティーを形成したメタルベース半導体パッケージにおいて、ワイヤボンド用金属メッキを行った後に絞り加工または曲げ加工を行うことを特徴とするメタルベース半導体パッケージ。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ,  H05K 1/05 ,  H05K 3/44
FI (3件)：
H01L 23/12 S ,  H05K 1/05 A ,  H05K 3/44 Z
Fターム (8件)：
5E315AA05 ,  5E315AA09 ,  5E315BB04 ,  5E315BB16 ,  5E315DD15 ,  5E315DD21 ,  5E315DD25 ,  5E315GG16
引用特許：
審査官引用 (6件)
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