特許
J-GLOBAL ID:200903081429300083

圧電薄膜共振子の製造方法、圧電薄膜共振子、周波数フィルタ、発振器の製造方法、発振器、電子回路、および電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-242328
公開番号(公開出願番号):特開2006-060680
出願日: 2004年08月23日
公開日(公表日): 2006年03月02日
要約:
【課題】 良好な特性を有する圧電薄膜共振子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る圧電薄膜共振子の製造方法は,第1基板の上方に、順次、圧電薄膜3および第1電極4を積層して積層体を形成する工程と、第2基板6と積層体とを接合する工程と、第1基板を、積層体から分離する工程と、圧電薄膜3の上方に第2電極8を形成する工程と、第2電極8、圧電薄膜3、および第1電極4をパターニングする工程と、を含む。【選択図】 図10
請求項(抜粋):
第1基板の上方に、順次、圧電薄膜および第1電極を積層して積層体を形成する工程と、 第2基板と前記積層体とを接合する工程と、 前記第1基板を、前記積層体から分離する工程と、 前記圧電薄膜の上方に第2電極を形成する工程と、 前記第2電極、前記圧電薄膜、および前記第1電極をパターニングする工程と、を含む、圧電薄膜共振子の製造方法。
IPC (7件):
H03H 3/02 ,  H03B 5/32 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/54 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18
FI (7件):
H03H3/02 B ,  H03B5/32 Z ,  H03H9/17 F ,  H03H9/54 Z ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 D ,  H01L41/18 101Z
Fターム (15件):
5J079AA03 ,  5J079GA02 ,  5J079HA06 ,  5J079HA22 ,  5J108AA06 ,  5J108AA07 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108DD01 ,  5J108DD06 ,  5J108DD07 ,  5J108FF01 ,  5J108FF05 ,  5J108HH03 ,  5J108MM15
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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