特許
J-GLOBAL ID：200903069313996846

圧電振動素子、容量素子、及び記憶装置

発明者：
佐野 賢也

佐野 賢也 について

, 
川久保 隆

川久保 隆 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-356879
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158309
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 圧電体膜の結晶配向性は、単結晶基板の結晶方位情報を引き継ぐ方法を用いない限り良いものが得られておらず、容易な製造プロセスで製作された圧電体膜では充分な圧電特性が得られていない。また、残留分極が大きく、その温度依存性の小さな強誘電体薄膜の結晶配向性も同様であり、強誘電体メモリの記憶媒体としての用途に適したものが無かった。【解決手段】 基板上に形成された非晶質薄膜と、その非晶質膜上に形成された下部電極と、その上部に形成された誘電体を積層したキャパシタおよび圧電振動子において、個々の下部電極は結晶方位が同一なほぼ単結晶と見做しせる金属膜であり、かつ全領域では面内方向のみ結晶方位が異なる。また、前記下部電極金属膜が、下部電極の膜厚をnとした場合、下部電極を構成する結晶の平均粒径dが、d≧4nの関係を満たす(100)もしくは(111)配向の金属膜である。
請求項（抜粋）：
一主面を有する基板と、前記基板の一主面上に形成され、膜厚の4倍以上大きい結晶粒を有し、且つその結晶方位が略均一にされた振動可能部を有する下部金属電極層と、前記下部金属電極層の振動可能部上にエピタキシャル成長された結晶質誘電体膜と、前記下部金属電極層との間の前記結晶質誘電体膜に対して電界を印加しうるように前記結晶質誘電体膜上に形成された上部電極層とを具備することを特徴とする圧電振動素子。
IPC (6件)：
H01L 41/08 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/18 ,  H03H 9/17
FI (5件)：
H03H 9/17 F ,  H01L 41/08 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 27/10 444 B
Fターム (21件)：
5F038AC02 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA16 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR40 ,  5J108AA06 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108FF03 ,  5J108FF05 ,  5J108JJ02 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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