特許
J-GLOBAL ID：200903081473834443
プラズマ成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158348
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340217
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 アスペクト比の高い凹部に対しての絶縁膜の埋め込み特性を向上させること。【解決手段】 成膜ガスとして例えばC6 F6 ガスを用い、このガスをプラズマ化して配線パタ-ンが形成されたウエハ10にCF膜を成膜する。次いでO2 ガスとArガスとをプラズマ化してCF膜の一部をエッチングする。このようにすると配線32,32間の凹部34の間口を広げるようにCF膜の一部がエッチングされるので、この後成膜を行うと凹部34の底部にCF膜が堆積しやすい。従って成膜とエッチングとを交互に繰り返すと次第に凹部34の底部がCF膜で埋められて浅くなっていき、結果として当該凹部34はCF膜で埋め込まれる。このためアスペクト比の高い凹部に対してもボイドを形成することなくCF膜を埋め込むことができる。
請求項（抜粋）：
成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより被処理体上に絶縁膜を成膜する工程と、次いで化学的エッチングガスをプラズマ化し、そのプラズマにより前記絶縁膜の一部をエッチングする工程と、を含み、前記成膜工程とエッチング工程とを交互に繰り返して行うことを特徴とするプラズマ成膜方法。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
H01L 21/31 C
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 A
, H01L 21/302 N
