特許
J-GLOBAL ID:200903081540197135

シリカゲル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 真田 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-358568
公開番号(公開出願番号):特開2003-160326
出願日: 2001年11月22日
公開日(公表日): 2003年06月03日
要約:
【要約】【課題】 極めて制御された均一な形状を有するとともに、不純物量が少なく、シャープな細孔分布を示し、耐水性、耐熱性、物性安定性に優れ、且つ製造コストが低くて生産性にも優れるシリカゲルを提供する。【解決手段】 (a)細孔容積が0.3〜3.0ml/g、(b)比表面積が200〜1000m2/g、(c)細孔の最頻直径(Dmax)が20nm未満、(d)直径がDmax±20%の範囲内にある細孔の総容積が、全細孔の総容積の50%以上、(e)非晶質、(f)金属不純物の総含有率が500ppm以下、(g)短径/長径の値が0.90〜1であり、且つ、(h)固体Si-NMR測定におけるQ4ピークのケミカルシフトδ(ppm)が下記式(I) -0.0705×(Dmax)-110.36>δ ・・・式(I)を満足するようにする。
請求項(抜粋):
(a)細孔容積が0.3〜3.0ml/gであり、(b)比表面積が200〜1000m2/gであり、(c)細孔の最頻直径(Dmax)が20nm未満であり、(d)直径がDmax±20%の範囲内にある細孔の総容積が、全細孔の総容積の50%以上であり、(e)非晶質であり、(f)金属不純物の総含有率が500ppm以下であり、(g)短径/長径の値が0.90〜1であり、且つ、(h)固体Si-NMR測定におけるQ4ピークのケミカルシフトをδ(ppm)とした場合に、δが下記式(I) -0.0705×(Dmax)-110.36>δ ・・・式(I)を満足することを特徴とする、シリカゲル。
IPC (2件):
C01B 33/14 ,  C01B 33/152
FI (2件):
C01B 33/14 ,  C01B 33/152 A
Fターム (14件):
4G072AA28 ,  4G072BB07 ,  4G072BB13 ,  4G072CC10 ,  4G072HH18 ,  4G072HH30 ,  4G072MM01 ,  4G072PP03 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072TT05 ,  4G072TT09 ,  4G072TT19 ,  4G072TT20
引用特許:
審査官引用 (5件)
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