特許
J-GLOBAL ID：200903021803392377
シリカ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-278798
公開番号（公開出願番号）：特開2003-221223
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2003年08月05日
要約：
【要約】【課題】 細孔容積及び比表面積が大きいだけでなく、細孔分布が狭く、不要な金属不純物量を抑えることができ、且つ耐熱性や耐水性等の物性面でも優れるようにする。【解決手段】 細孔の最頻直径(Dmax)が20nm以下のシリカであって、固体Si-NMRでのQ4ピークのケミカルシフトδ(ppm)が下記式(I)を満足するようにする。 -0.0705×(Dmax)-110.36>δ ・・・(I)
請求項（抜粋）：
細孔の最頻直径(Dmax)が20nm以下のシリカであって、固体Si-NMRでのQ4ピークのケミカルシフトδ(ppm)が下記式(I)を満足することを特徴とする、シリカ。 -0.0705×(Dmax)-110.36>δ ・・・(I)
Fターム (16件)：
4G072AA26
, 4G072AA27
, 4G072DD08
, 4G072DD09
, 4G072GG01
, 4G072HH30
, 4G072JJ11
, 4G072MM01
, 4G072PP17
, 4G072RR05
, 4G072RR19
, 4G072TT01
, 4G072TT08
, 4G072TT09
, 4G072UU11
, 4G072UU17
出願人引用 (2件)
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特開昭62-113713号公報
-
シリカゲルの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-185171
出願人：日本シリカ工業株式会社
審査官引用 (13件)
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