特許
J-GLOBAL ID：200903081553827138
半導体積層基板およびその製造方法並びに半導体発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245499
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059762
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】 より高輝度の半導体発光素子を製造するのに役立つ半導体積層基板及びその製造方法並びに半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 基板2の上に、n型窒化物半導体層3、発光層4、及びp型窒化物半導体層5がこの順序で積層されて成る窒化物半導体層を有して成る窒化物半導体発光素子用の半導体基板1において、p型窒化物半導体層5は多数の無機粒子6を配した窒化物半導体層となっており、無機粒子6の一部分がp型窒化物半導体層5の表面に露出している。これにより、半導体積層基板1が与える半導体発光素子が高い輝度を示す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
無機粒子が配された半導体層を有する半導体積層基板であって、前記無機粒子の少なくとも一部が前記半導体層の表面に一部露出していることを特徴とする半導体積層基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5F041AA04
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AE25
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA51
, 5F045HA01
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
