特許
J-GLOBAL ID：200903003729573129

半導体積層基板、その製造方法及び発光素子

発明者：
上田 和正

上田 和正 について

, 
西川 直宏

西川 直宏 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (3件)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-338257
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179879
出願日： 2005年11月24日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】高い輝度を示す発光素子として用いられる半導体積層基板を提供する。【解決手段】〔1〕金属窒化物を除く無機粒子を含有する半導体層を有してなることを特徴とする半導体積層基板。〔2〕無機粒子が酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、硫化物、セレン化物及び金属からなる群より選ばれる少なくとも1つを含む〔1〕に記載の半導体積層基板。〔3〕無機粒子が半導体層の成長におけるマスク材料を含む〔1〕又は〔2〕記載の半導体積層基板。〔4〕マスク材料がシリカ、ジルコニア、チタニア、窒化珪素、窒化硼素、W、Mo、Cr、Co、Si、Au、Zr、Ta、Ti、Nb、Pt、V、Hf及びPdからなる群より選ばれる少なくとも1つである〔3〕記載の半導体積層基板。〔5〕次の工程(a)及び(b)を含む半導体積層基板の製造方法。(a) 基板上に、金属窒化物を除く無機粒子を配置する工程、(b) 半導体層を成長させる工程。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
金属窒化物を除く無機粒子を含有する半導体層を有してなることを特徴とする半導体積層基板。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01L21/205 ,  H01L21/203 M ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (37件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045BB01 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB06 ,  5F045EB20 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG06 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103RR06 ,  5F173AG11 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP19 ,  5F173AP20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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