特許
J-GLOBAL ID:200903063925868083
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-215239
公開番号(公開出願番号):特開平8-064725
出願日: 1994年08月18日
公開日(公表日): 1996年03月08日
要約:
【要約】【目的】 電子回路が集積、形成された半導体チップをトランスファーモールド法により樹脂で封止した半導体装置によって、ICカードやメモリカード用パッケージ等に最適な薄型の樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 半導体チップの電極上にバンプまたはAuボールを形成し、該バンプまたはAuボールをモールド樹脂の表面に露出させる。【効果】 パッケージの厚さを、従来の各種方式に比べて薄くすることができるので、メモリカードなどへの多段実装、ISO規格のカードへの実装が可能となる。また、パッケージサイズをチップと同サイズとすることができるので、実装面積を小さくすることができ、高密度実装が可能になる等の効果が得られる。
請求項(抜粋):
半導体チップの電極上にバンプまたはAuボールを形成し、該バンプまたはAuボールをモールド樹脂の表面に露出させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (6件):
H01L 23/28
, B42D 15/10 521
, H01L 21/304 331
, H01L 21/56
, H01L 21/301
, H01L 21/321
FI (2件):
H01L 21/78 Z
, H01L 21/92 604 J
引用特許:
審査官引用 (10件)
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特開昭56-167350
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特開平2-049460
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特開平3-104141
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特開平3-154344
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半導体装置の実装方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-216589
出願人:シチズン時計株式会社
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樹脂封止型半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-201965
出願人:三菱電機株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-211207
出願人:ソニー株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-244416
出願人:株式会社日立製作所
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電子部品
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-293852
出願人:オムロン株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-308598
出願人:三菱電機株式会社
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