特許
J-GLOBAL ID：200903081631194104

電子放出電極とその製造方法

発明者：
西村 一仁

西村 一仁 について

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笹岡 秀紀

笹岡 秀紀 について

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江 南

江 南 について

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王 宏興

王 宏興 について

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平木 博久

平木 博久 について


出願人/特許権者：
高知県

高知県 について

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財団法人高知県産業振興センター

財団法人高知県産業振興センター について

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カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-342415
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108721
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 電子放出効率が高く製造の容易な電子放出電極を提供する。【解決手段】 基体12上に粒径が5〜30μmのダイヤモンド粒子を固定して基板11を形成する。DCプラズマCVDにより、炭素を含有するガスと水素ガスとを用いて、基板11の温度を950〜1200°Cとして、炭素薄片が基板に対してランダムな方向に繋がりあう花弁状炭素薄片集合体14を形成する。各炭素薄片は、高さが1nm〜500nmのグラフェンシートにより構成され、外辺開口部における薄片同士の間隔が3μm以下であり、花弁状炭素薄片集合体14の大きさが5μm〜30μmで、隣接する炭素薄片集合体同士の間隔は薄片集合体の直径をDとした時に1D〜10Dである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の突起物を備える基板と、 前記基板の前記突起物の表面に形成され、複数の炭素薄片で構成された花弁状炭素薄片集合体からなる電子放出膜と、を有する電子放出電極。
IPC (2件)：
H01J1/304 ,  H01J9/02
FI (2件)：
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B
Fターム (17件)：
5C127AA01 ,  5C127AA20 ,  5C127BA12 ,  5C127BA15 ,  5C127BB06 ,  5C127BB08 ,  5C127CC03 ,  5C127DD09 ,  5C127EE02 ,  5C127EE15 ,  5C135AA12 ,  5C135AA15 ,  5C135AB06 ,  5C135AB08 ,  5C135AC03 ,  5C135HH02 ,  5C135HH15
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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