特許
J-GLOBAL ID：200903097815081101
電子放出陰極およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097287
公開番号（公開出願番号）：特開2001-283715
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 FED(Field Emission Display)に好適な均一でかつ高い電子放出サイト密度をもつ電子放出陰極およびその製造方法を提供する。【解決手段】 超微粒子のダイヤモンドコロイド溶液でガラス基板1を処理することにより、ガラス基板1上に、平均粒径が例えば、数十nmダイヤモンドの超微粒子2を配置形成し、有磁場マイクロ波CVD法を用いて低温で非晶質炭素膜(DLC膜)4を形成し、水素プラズマエッチングによってダイヤモンドの超微粒子2上の非晶質炭素膜4を除去し、ダイヤモンドの超微粒子2間の数十nmの間隔に埋め込まれた非晶質炭素膜4を電子放出サイトとする。
請求項（抜粋）：
超微粒子が配置された基板に、電子伝導性膜が形成されてなる電子放出陰極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
