特許
J-GLOBAL ID：200903081649325923

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
東野 朋子

東野 朋子 について

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宮崎 忠一

宮崎 忠一 について

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阿部 由之

阿部 由之 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-231946
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048958
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】 チップを多段に積層した構成を有する半導体装置を薄型化する。【解決手段】 半導体ウエハ1Wの半導体基板1Sの内部に集光点を合わせた状態でレーザ光を照射することにより改質領域PLを形成する。続いて、半導体ウエハ1Wの裏面に回転塗布法により液状の接着材を塗布した後、これを乾燥させて固体状の接着層8aを形成する。その後、上記改質領域PLを分割起点として半導体ウエハ1Wを個々の半導体チップに分割する。この半導体チップをその裏面の接着層8aにより他の半導体チップの主面上に接着することにより、半導体チップが多段に積層された構成を有する半導体装置を製造する。【選択図】 図13
請求項（抜粋）：
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法: (a)厚さ方向に沿って互いに反対側になる主面および裏面を有する配線基板を用意する工程と、 (b)前記配線基板の主面上に第1チップを搭載する工程と、 (c)前記第1チップ上に第2チップを積み重ね、前記第2チップをその裏面の固体状の接着層により前記第1チップに接着する工程とを有し、 前記第2チップの作成工程は、 厚さ方向に沿って互いに反対側になる主面および裏面を有するウエハを用意する工程と、 前記ウエハの主面に素子を形成する工程と、 前記ウエハの主面上に配線層を形成する工程と、 前記ウエハを薄型化する工程、 前記ウエハのチップ分離領域に沿って前記ウエハの内部に集光点を合わせてレーザを照射することにより、後のウエハ切断工程において前記ウエハの分割起点となる改質領域を形成する工程と、 前記ウエハの裏面に液状の接着材を回転塗布法により塗布し、前記ウエハの裏面に前記固体状の接着層を形成する工程と、 前記改質領域を起点として前記ウエハを切断し、前記固体状の接着層を裏面に持つ前記第2チップを得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/06
FI (5件)：
H01L21/78 B ,  H01L21/78 M ,  B23K26/00 D ,  B23K26/06 A ,  B23K26/00 H
Fターム (4件)：
4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CD01 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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