特許

J-GLOBAL ID：200903081755933720

EUV露光装置及びEUV露光方法

発明者： 村上 勝彦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-334929
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172272
出願日： 2002年11月19日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】レジストを塗布したウェハに起因する炭化水素含有ガスの発生量を抑制し得るEUV露光装置及びEUV露光方法を提供することを目的とする。【解決手段】EUV光を用いて、マスクに形成されたパターンをウェハ上に露光する装置であって、 前記ウェハ上に無機レジスト層を成膜する無機レジスト成膜部と、 前記マスクをEUV光で照明する照明光学系と、前記マスクを通過したEUV光を前記無機レジスト層が成膜されたウェハ上に投影結像する投影結像光学系とを具備する露光部と、 前記無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しつつ、無機レジスト成膜部から露光部へ搬送する搬送機構と、を有することを特徴とするEUV露光装置とした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

EUV光を用いて、マスクに形成されたパターンをウェハ上に露光する装置であって、 前記ウェハ上に無機レジスト層を成膜する無機レジスト成膜部と、 前記マスクをEUV光で照明する照明光学系と、前記マスクを通過したEUV光を前記無機レジスト層が成膜されたウェハ上に投影結像する投影結像光学系とを具備する露光部と、 前記無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しつつ、無機レジスト成膜部から露光部へ搬送する搬送機構と、 を有することを特徴とするEUV露光装置。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (3件)：

H01L21/30 531A ,  G03F7/20 503 ,  H01L21/30 579

Fターム (17件)：

2H097CA15 ,  2H097DA01 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  5F046AA22 ,  5F046CD01 ,  5F046CD05 ,  5F046DA04 ,  5F046DA09 ,  5F046DA27 ,  5F046GA07 ,  5F046GA11 ,  5F046GA12 ,  5F046GA14 ,  5F046GA20 ,  5F046GB01 ,  5F046GD10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パターン形成方法及び半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-192459   出願人：松下電器産業株式会社
• パタ-ン形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-307703   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-034406   出願人：株式会社日立製作所
• レジストパターン形成方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-070386   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社ソルテック