特許
J-GLOBAL ID：200903081758272783
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-246069
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076784
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】単結晶シリコン基板を劈開して剥離を行う場合であっても、剥離面の平坦性を保持したまま剥離が可能である半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体層、好ましくは単結晶半導体層を設けた所謂SOI構造を有する半導体基板の製造方法であり、イオン化した水素であって質量がプロトンよりも重い水素イオンを電界で加速して、半導体基板の一の面側から注入し、該半導体基板の表面から所定の深さに分離層を形成した後、該分離層若しくはその近傍を劈開して半導体層を形成することを要旨とする。【選択図】図14
請求項（抜粋）：
イオン化した水素であって質量がプロトンよりも重い水素イオンを電界で加速して、半導体ウエハの一の面側から注入し、該半導体ウエハの表面から所定の深さに分離層を形成し、
絶縁表面を有する基板の一の面側と、前記半導体ウエハの一の面側とを重ね合わせて熱処理を行い、前記絶縁表面を有する基板と前記半導体ウエハを接着し、
前記分離層若しくはその近傍を劈開面として、
前記絶縁表面を有する基板の一の面に半導体層を残存させた状態で、前記半導体ウエハを剥離すること
を特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/265
, H01L 21/322
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
, H01L21/265 Q
, H01L21/322 X
