水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたSOIウエーハ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131350
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307472
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】水素イオン剥離法において、剥離後にSOI層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、研磨することなく除去し、SOI層の膜厚均一性を良好なものとしたSOIウエーハを製造する方法を提供するとともに、工程の簡略化を図る。【解決手段】水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、SOI層の表面を研磨することなく水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするSOIウエーハを製造する方法、および水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、剥離熱処理後、SOI層の表面を研磨することなく水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするSOIウエーハを製造する方法、ならびにこれらの方法で製造されたことを特徴とするSOIウエーハ。

請求項（抜粋）：

水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、SOI層の表面を研磨することなく水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするSOIウエーハを製造する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/265 Q , H01L 21/02 Z , H01L 27/12 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体基体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-264386 出願人：キヤノン株式会社
特開昭62-123098
半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016523 出願人：キヤノン株式会社

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