特許

J-GLOBAL ID：200903081801081725

熱処理方法

発明者： 加藤 寿 ,  西田 辰夫 ,  東條 行雄
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-356595
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222871
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 設備コストの削減、スループットの向上及び特性の向上を図ることができる熱処理方法を提供する。【解決手段】 被処理体である半導体ウエハWの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でHSGポリシリコン膜(ラグドポリシリコン膜)16を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器28内で連続的に行なう。これにより、設備コストの削減及びスループットの向上を図る。

請求項（抜粋）：

被処理体に対して所定の熱処理を施すに際して、前記被処理体の表面に非選択でポリシリコン膜を堆積させてこのポリシリコン膜の表面を凹凸化させることによりHSGポリシリコン膜を形成する非選択HSG膜形成工程と、前記HSGポリシリコン膜に対して不純物をドープする不純物ドープ工程とを、真空引き可能になされた同一処理容器内において連続的に行なうようにしたことを特徴とする熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/10 621 C

Fターム (25件)：

5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045DA51 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EC02 ,  5F045EK06 ,  5F045HA20 ,  5F045HA23 ,  5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-148123   出願人：日本電気株式会社
• 凹凸状ポリシリコン層の形成方法及びこの方法の実施に使用される基板処理装置並びに半導体メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-332408   出願人：アネルバ株式会社
• 堆積膜形成装置のクリーニング方法、及び堆積膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-351988   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体形成方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-172092   出願人：日本エー・エス・エム株式会社