特許
J-GLOBAL ID:200903081857908797
真空成膜装置及び真空成膜方法並びに導電性フィルム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野田 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-082983
公開番号(公開出願番号):特開2009-235488
出願日: 2008年03月27日
公開日(公表日): 2009年10月15日
要約:
【課題】長尺の基材フィルムを一度に投入でき、かつ連続成膜した導電性薄膜の抵抗値分布を保証し制御することができるとともに均一な膜質の導電性薄膜を連続して形成できる真空成膜装置を提供する。【解決手段】ロール・トゥ・ロール方式真空成膜装置50において、導電性フィルム58の表面抵抗値を測定する非接触式の抵抗測定手段56に加えて、成膜手段55bと巻取り手段54との間に導電性フィルム58の光線透過率及び/または光線反射率を連続して計測する光線測定手段60と、抵抗測定手段56で測定された表面抵抗値及び光線測定手段60で計測された光線透過率及び/または光線反射率に基づいて導電性薄膜の膜特性が均一になるように成膜手段55a,55bの成膜条件を調整する制御手段65を備える構成にした。【選択図】図5
請求項(抜粋):
基材フィルムが巻回された基材フィルムロールから基材フィルムを巻き出す巻出し手段と、
前記基材フィルムロールから巻き出される前記基材フィルムの少なくとも一方の面に少なくとも1層の導電性薄膜を連続して成膜する成膜手段と、
前記導電性薄膜が成膜された導電性フィルムをロール状に巻き取る巻取り手段とを有する真空成膜装置において、
前記成膜手段と前記巻取り手段との間に前記導電性フィルムの表面抵抗値を連続して測定する非接触式の抵抗測定手段と、
前記抵抗測定手段で測定された表面抵抗値に基づいて前記導電性薄膜の膜特性が均一になるように前記成膜手段の成膜条件を調整する制御手段を備え、
前記巻出し手段は、600mmφ以上700mmφ以下の直径の前記基材フィルムロールが装着可能に構成され、
前記巻取り手段は、前記導電性フィルムが600mmφ以上700mmφ以下の直径に巻き取られるように構成されている、
ことを特徴とする真空成膜装置。
IPC (7件):
C23C 14/54
, C23C 14/34
, C23C 14/08
, B32B 9/00
, H01B 13/00
, H01B 5/14
, C23C 14/56
FI (8件):
C23C14/54 F
, C23C14/34 U
, C23C14/08 D
, B32B9/00 A
, H01B13/00 503Z
, H01B5/14 Z
, C23C14/56 E
, C23C14/54 E
Fターム (22件):
4F100AA33
, 4F100AK01A
, 4F100BA02
, 4F100EH66
, 4F100EJ61
, 4F100GB41
, 4F100JG01B
, 4F100JM02B
, 4K029AA11
, 4K029AA25
, 4K029BA45
, 4K029BA50
, 4K029BC08
, 4K029BC09
, 4K029CA06
, 4K029EA00
, 4K029EA05
, 4K029EA06
, 4K029JA10
, 5G307GB02
, 5G307GC02
, 5G323AA01
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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