高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331910
公開番号（公開出願番号）：特開2002-206012
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【解決手段】式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1は水素原子、又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、R2は水素原子、又は炭素数1〜15のアシル基もしくはアルコキシルカルボニル基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよい。Yは、炭素数1〜15の2価の基を示し、結合する原子団と共に環状構造を形成する。kは0又は1、mは0〜5の整数である。)【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R2は水素原子、又は炭素数1〜15のアシル基もしくはアルコキシルカルボニル基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよい。Yは、炭素数1〜15の2価の基を示し、結合する原子団と共に環状構造を形成する。kは0又は1、mは0〜5の整数である。)

IPC (6件)：

C08F232/00 , C08F220/18 , C08F222/06 , C08G 61/06 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (6件)：

C08F232/00 , C08F220/18 , C08F222/06 , C08G 61/06 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (52件)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025FA12 , 4J032CA25 , 4J032CA32 , 4J032CB03 , 4J032CB04 , 4J032CB05 , 4J032CG00 , 4J100AK32R , 4J100AL08S , 4J100AR09P , 4J100AR09Q , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100BA02S , 4J100BA03P , 4J100BA11P , 4J100BA13P , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BB01P , 4J100BB18P , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC03S , 4J100BC04Q , 4J100BC04S , 4J100BC07Q , 4J100BC07S , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC09S , 4J100BC22S , 4J100BC53P , 4J100BC53S , 4J100CA03 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (7件)

ポリマーおよびフォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-050207 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
酸不安定性ペンダント基を有する多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-512109 出願人：ザビー.エフ.グッドリッチカンパニー
ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-080519 出願人：富士写真フイルム株式会社

全件表示

前のページに戻る