基板処理装置及び基板処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343699
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179383
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】紫外線を照射することで洗浄処理を行う処理装置において、基板面に対してばらつきがなく均一に不活性ガスを供給できる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。【解決手段】基板の後端Gbが上流側ノズル41aのほぼ直下を過ぎたことをセンサ43が検出すると、上流側ノズル41aの噴出及び下流側の集ガス部材42bからの排気が停止されるとともに、下流側ノズル41bからの窒素ガスの噴出及び上流側の集ガス部材42aからの排気が開始される。これにより、基板面に対して窒素ガスをばらつきなく供給することができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板に対し紫外線を照射する照射部と、前記照射部に対向して配置され、基板を所定の方向に搬送する搬送機構と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の上流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第1の噴出部と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の下流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第2の噴出部と、前記搬送機構による搬送される基板の位置に応じて、前記第1の噴出部と前記第2の噴出部とによるそれぞれの不活性気体の噴出の開始及び停止を制御する制御部とを具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L21/304 , B08B7/00 , G02F1/13 , H01L21/027

FI (5件)：

H01L21/304 645D , B08B7/00 , G02F1/13 101 , H01L21/30 572A , H01L21/30 563

Fターム (17件)：

2H088FA16 , 2H088FA17 , 2H088FA23 , 2H088FA25 , 2H088FA30 , 2H088HA01 , 2H088HA28 , 2H088MA20 , 3B116AA02 , 3B116AB14 , 3B116BB88 , 3B116BC01 , 3B116CD11 , 3B116CD42 , 3B116CD43 , 5F046HA03 , 5F046MA13

引用特許：

出願人引用 (5件)

紫外線照射方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-249247 出願人：ホーヤ・ショット株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-223690 出願人：東京エレクトロン株式会社
紫外線照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-289966 出願人：株式会社芝浦製作所, 株式会社東芝

全件表示

審査官引用 (5件)

紫外線照射方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-249247 出願人：ホーヤ・ショット株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-223690 出願人：東京エレクトロン株式会社
紫外線照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-289966 出願人：株式会社芝浦製作所, 株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る