導電体パターンの形成方法及び実装回路基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：眞鍋潔 , 柏谷昭司 , 渡邊弘一 , 伊藤壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-193109
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039781
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】導電体パターンの形成方法及び実装回路基板に関し、バリア層を2種類以上の絶縁層に対して耐拡散性と密着性とを同時に満たすようにするとともに、ウェット・エッチングにより除去可能にする。【解決手段】基板1の同一面上に設けた2種類以上の絶縁層2,3の露出部上に第1の金属層4及び第2の金属層5を積層させたバリア層を形成したのち、バリア層上にAlより導電性の高い導電材料からなる導電体パターン6,7を形成し、次いでバリア層の露出部をウェットエッチングする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の同一面上に設けた2種類以上の絶縁層の露出部上にバリア層を形成する工程、前記バリア層上にAlより導電性の高い導電材料からなる導電体パターンを形成する工程、前記バリア層の露出部をウェットエッチングする工程とを有する導電体パターンの形成方法において、前記バリア層が、前記2種類以上の絶縁層に対する接着層として機能する第1の金属層と、前記導電体パターンに対する密着層として機能する第2の金属層とからなり、且つ、前記第1の金属層或いは第2の金属層の少なくとも一方が、前記導電体パターンを構成する元素に対する耐拡散バリア機能を有することを特徴とする導電体パターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L23/14 , H01L21/3205 , H01L23/12 , H05K1/09 , H05K3/06

FI (6件)：

H01L23/14 S , H05K1/09 C , H05K3/06 A , H01L23/12 Q , H01L23/12 Z , H01L21/88 J

Fターム (57件)：

4E351AA06 , 4E351BB01 , 4E351BB35 , 4E351DD11 , 4E351DD17 , 4E351DD19 , 4E351GG07 , 5E339AB05 , 5E339AC01 , 5E339AE01 , 5E339BC01 , 5E339BD05 , 5E339BD08 , 5E339BE13 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033MM30 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ19 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR12 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS11 , 5F033TT07 , 5F033XX01 , 5F033XX13 , 5F033XX14 , 5F033XX28 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-248679 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-026367 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜配線部を備えた電子部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-214131 出願人：株式会社東芝

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