キャパシタ素子の形成方法、複合薄膜素子の形成方法、配線基板及びモジュール基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：逢坂宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364518
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100533
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】形成工程が簡略化され、無駄が少なくてコストが低く抑えられ、かつ絶縁性が高くて歩留りが良く、さらに形成が容易で、形成の際の制御がしやすいキャパシタ素子の形成方法、複合薄膜素子の形成方法、配線基板及びモジュール基板を提供すること。【解決手段】基板1上に下電極3を形成する工程と、下電極3上にバルブ金属膜11を所定パターンに形成する工程と、バルブ金属膜11上に、所望の陽極酸化膜12を形成するための開口部71を有する開口マスク21を形成する工程と、下電極3を陽極として開口部71のバルブ金属膜11を陽極酸化して陽極酸化膜12を形成する工程と、開口マスク21を除去する工程と、前記下電極3をパターニングする工程と、陽極酸化膜12の上面に上電極6を形成する工程とを有する、キャパシタ素子、又はこれを含む複合薄膜素子の形成方法、及び配線基板、モジュール基板。

請求項（抜粋）：

基板上に下電極を形成する工程と、前記下電極上に金属膜を所定パターンに形成する工程と、前記金属膜上に、所望の陽極酸化膜を形成するための開口部を有するマスクを形成する工程と、前記下電極を陽極として前記開口部の前記金属膜を陽極酸化して陽極酸化膜を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記下電極を所定パターンに加工する工程と、前記陽極酸化膜の上面に上電極を形成する工程とを有するキャパシタ素子の形成方法。

IPC (7件)：

H01G 4/33 , H01C 13/00 , H01C 17/08 , H01G 2/06 , H01G 4/10 , H01G 4/40 , H01L 23/12

FI (7件)：

H01C 13/00 C , H01C 17/08 , H01G 4/10 , H01G 4/06 102 , H01G 1/035 E , H01G 4/40 307 , H01L 23/12 B

Fターム (25件)：

5E032AB01 , 5E032BA11 , 5E032BA14 , 5E032BA15 , 5E032BB01 , 5E032CC18 , 5E082AB03 , 5E082BC38 , 5E082BC39 , 5E082DD02 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE24 , 5E082EE26 , 5E082EE37 , 5E082EE47 , 5E082FG03 , 5E082FG27 , 5E082FG42 , 5E082FG44 , 5E082JJ15 , 5E082KK01 , 5E082LL01 , 5E082LL35 , 5E082MM05

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜コンデンサ内蔵基板及びその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-312343 出願人：日本特殊陶業株式会社
キャパシタの製造方法及びキャパシタを備える基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320933 出願人：日本特殊陶業株式会社
特開昭49-067162

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