特許
J-GLOBAL ID：200903082066913181

磁気抵抗効果素子及びこれを用いたメモリ

発明者：
林 克彦

林 克彦 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-368968
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258209
出願日： 2002年12月19日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 MRAMのメモリセルの小型化と、隣接するメモリセルに対しての磁気的影響を減らし、ひいては大容量のMRAMを構成可能にする。【解決手段】 ワード線となる第1の導体31と、ビット線となる第2の導体32と、第1及び第2の導体31,32の交差部に配置される磁気抵抗効果膜とを備え、第1及び第2の導体31,32は前記磁気抵抗効果膜を形成する一方の磁性層21側に配設されていて、第1及び第2の導体31,32は互いに電気的に絶縁して近接配置され、さらに第1及び第2の導体31,32を前記一方の磁性層21と共に挟むように付加磁性体40が設けられている。そして、第1及び第2の導体31,32に供給された電流による合成磁場で前記一方の磁性層21の磁化を変化させる構成である。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果膜の抵抗を変化させるために、電流を供給する複数の導体を設けた磁気抵抗効果素子であって、前記複数の導体の内の1個は前記磁気抵抗効果膜を形成する一方の磁性層に配置され、前記複数の導体の内の他の導体は前記1個の導体に電気的に絶縁して近接配置され、前記複数の導体に供給された電流による合成磁場で前記一方の磁性層の磁化を変化させることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/15 110 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
G11C 11/15 110 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (9件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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