基板表面処理方法および基板表面処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川崎実夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265713
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075954
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去する処理を良好に行うことができる基板表面処理方法および基板表面処理装置を提供する。【解決手段】ウエハWは、UV・加熱処理部20により、紫外線照射処理および加熱処理を受ける。これにより、ウエハWの表面の水分および汚染物質が排除され、表面状態が改質される。このウエハWは冷却処理部30で冷却された後に、気相エッチング処理部40において、表面の膜を除去するための膜除去処理(気相エッチング処理)を受ける。その後、水洗・乾燥処理部50により、水洗処理および水切り乾燥処理がウエハWに施される。【効果】ウエハWに対する膜除去工程の処理速度が安定する。ウエハWの面内で膜除去処理を均等に行うことができる。複数のウエハW間で膜除去処理のばらつきがない。

請求項（抜粋）：

基板を所定の温度で加熱しつつ、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給することにより、基板表面の膜を除去する膜除去工程と、この膜除去工程に先だって、基板の表面の水分を除去する水分除去工程とを含むことを特徴とする基板表面処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 , C23F 1/12 , H01L 21/304 645 , H01L 21/304 , H01L 21/304 648 , H01L 21/304 651

FI (6件)：

C23F 1/12 , H01L 21/304 645 B , H01L 21/304 645 D , H01L 21/304 648 H , H01L 21/304 651 M , H01L 21/302 P

Fターム (14件)：

4K057WE30 , 5F004AA01 , 5F004AA14 , 5F004BA19 , 5F004BB05 , 5F004BB18 , 5F004BB24 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004DA00 , 5F004DA20 , 5F004DA25 , 5F004DB06 , 5F004FA08

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-270901 出願人：株式会社東芝
特開平3-291926
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-296413 出願人：株式会社東芝

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