特許

J-GLOBAL ID：200903082095094211

光センサーおよび表示装置

発明者： 伊藤 良一 ,  山中 剛
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-308594
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135186
出願日： 2007年11月29日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：

【課題】基板の上方からの光の受光感度の向上を図ることが可能な光センサー、およびこの光センサーを用いた表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】第1基板21上の半導体薄膜24中に、p領域(p型の不純物領域)24pと、i領域(i型の不純物領域)24i、n領域(n型の不純物領域)24nとをこの順に接して設けてなる光センサーS1において、第1基板21と半導体薄膜24との間には、第1基板21側から順に、i領域24iに積層された反射材料層22sと、これを覆うゲート絶縁膜23とが設けられている。反射材料層22sは、n領域24nに接続されている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上の半導体薄膜中に、p型の不純物領域と、i型の不純物領域と、n型の不純物領域とをこの順に接して設けてなる光センサーにおいて、 前記基板と前記半導体薄膜との間には、当該基板側から順に、前記i型の不純物領域に積層された反射材料層と、これを覆う絶縁膜とが設けられている ことを特徴とする光センサー。

IPC (8件)：

H01L 31/10 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133

FI (9件)：

H01L31/10 A ,  H01L31/10 G ,  H01L29/78 613Z ,  H01L27/14 C ,  H01L27/14 D ,  G09F9/30 349Z ,  G09F9/00 366G ,  G02F1/1368 ,  G02F1/13357

Fターム (96件)：

2H091FA01Y ,  2H091FA02Y ,  2H091FA14Y ,  2H091FA31Z ,  2H091FA45Z ,  2H091FA48Y ,  2H091GA13 ,  2H091GA14 ,  2H091LA30 ,  2H092JA05 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092LA01 ,  2H092LA12 ,  2H092NA25 ,  2H092PA08 ,  2H092PA11 ,  2H092PA12 ,  2H092PA13 ,  2H191FA01Y ,  2H191FA02Y ,  2H191FA31Y ,  2H191FA41Z ,  2H191FA85Z ,  2H191FA91Y ,  2H191GA19 ,  2H191GA20 ,  2H191LA40 ,  4M118AA01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA11 ,  4M118CB07 ,  4M118EA01 ,  4M118EA05 ,  4M118EA14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA10 ,  4M118GD15 ,  5C094AA21 ,  5C094AA51 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA20 ,  5C094EA10 ,  5C094HA10 ,  5F049MA04 ,  5F049MB04 ,  5F049NA01 ,  5F049PA05 ,  5F049SZ16 ,  5F049UA20 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ08 ,  5G435AA16 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE50 ,  5G435KK05 ,  5G435LL07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光センサ素子、これを用いた平面表示装置、光センサ素子の製造方法、平面表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-277864   出願人：東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社

審査官引用 (4件)

• 電気光学装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-111407   出願人：エプソンイメージングデバイス株式会社
• 光センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-038543   出願人：東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社
• 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-047313   出願人：日本ビクター株式会社
• 発光・受光素子及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-223992   出願人：沖電気工業株式会社