特許
J-GLOBAL ID：200903082129728002
III族窒化物半導体結晶の成長方法およびIII族窒化物半導体結晶の成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-332141
公開番号（公開出願番号）：特開2009-155125
出願日： 2007年12月25日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】III族窒化物半導体結晶を成長させる成長速度を向上したIII族窒化物半導体結晶の成長方法およびIII族窒化物半導体結晶の成長装置を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程を備えている。まず、原料13からの熱輻射を遮るための熱遮蔽部110を内部に含むチャンバー101が準備される。そして、チャンバー101内において、熱遮蔽部110に対して一方側に原料13が配置される。そして、原料13を加熱することにより昇華させて、チャンバー101内の熱遮蔽部110に対して他方側に、原料ガスを析出させることによりIII族窒化物半導体結晶15が成長される。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体を含む原料を昇華させ、昇華させた原料ガスを析出させることによりIII族窒化物半導体結晶を成長させる方法であって、
前記原料からの熱輻射を遮るための熱遮蔽部を内部に含むチャンバーを準備する工程と、
前記チャンバー内において、前記熱遮蔽部に対して一方側に前記原料を配置する工程と、
前記原料を加熱することにより昇華させて、前記チャンバー内の前記熱遮蔽部に対して他方側に、前記原料ガスを析出させることにより前記III族窒化物半導体結晶を成長させる工程とを備えた、III族窒化物半導体結晶の成長方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4G077AA02
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EG19
, 4G077EG24
, 4G077EG25
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA11
出願人引用 (6件)
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窒化物単結晶及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-094078
出願人：住友電気工業株式会社
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米国特許第5,858,086号明細書
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米国特許第6,296,956号明細書
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審査官引用 (3件)
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