発光素子及び発光素子の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-378578
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214232
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】酸化物透明電極層を発光駆動用の電極として有し、かつ酸化物透明電極層による光取出効率の改善効果をより有効に引き出すことができる発光素子を提供する。【解決手段】発光素子100は、発光層部24に発光駆動電圧を印加するためのITO電極層30を有し、発光層部24からの光が、該ITO電極層30を透過させる形で取り出される。また、発光層部24とITO電極層30との間に、Inを含有したGaAsよりなる電極接合層31が、該ITO電極層30と接するように配置され、ITO電極層30の接合界面において、電極接合層31の形成領域SAと非形成領域PAとが混在する。そして、電極接合層31と発光層部24との間に、Alを含有した化合物半導体よりなるAl含有介在層20が、電極接合層31の形成領域SAと非形成領域PAとにまたがる形で配置され、かつ、電極接合層31の非形成領域PAにおいて、該Al含有介在層20のITO電極層30側の最表層部にAl系絶縁層が選択的に形成されてなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化合物半導体層からなる発光層部と、該発光層部に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層とを有し、前記発光層部からの光を、前記酸化物透明電極層を透過させる形で取り出すようにした発光素子において、前記発光層部と前記酸化物透明電極層との間に、前記酸化物透明電極層の接合抵抗を減ずるための電極接合層が、該酸化物透明電極層に接するように配置され、前記酸化物透明電極層との接合界面において、前記電極接合層の形成領域と非形成領域とが混在するとともに、前記電極接合層と前記発光層部との間に、Alを含有したAl含有介在層が前記電極接合層の形成領域と非形成領域とにまたがる形で配置され、該Al含有介在層は、前記電極接合層の形成領域において前記電極接合層と接するAl含有化合物半導体層と、前記電極接合層の非形成領域に選択的に形成された、少なくとも前記酸化物透明電極層側の最表層部をなすAl系絶縁層とを有することを特徴とする発光素子。

IPC (4件)：

H01L33/00 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L29/41

FI (4件)：

H01L33/00 E , H01L21/28 301B , H01L21/306 B , H01L29/44 P

Fターム (30件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB10 , 4M104BB11 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD64 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF31 , 4M104GG04 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA88 , 5F041CA99 , 5F041DA02 , 5F041DA07 , 5F041DA12 , 5F041DA18 , 5F041DA26 , 5F041DA43 , 5F043AA14 , 5F043BB07

引用特許：

審査官引用 (7件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-128077 出願人：晶元光電股ふん有限公司
分布型接触の層を有する高輝度発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-307820 出願人：晶元光電股ふん有限公司
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-313179 出願人：松下電子工業株式会社

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