能動素子及びそれを有する表示素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-290937
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101031
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】発光強度を制御して発光強度の均一性を向上できる能動素子及びそれを有する表示素子を提供する。【解決手段】ソース電極1、半導体層2及びドレイン電極3が順次積層され、該半導体層2中の略中央部分に間隔をあけて該ソース電極1及びドレイン電極2と略平行に配置された複数の棒状のゲート電極4又は1つのドーナツ状のゲート電極が積層された、電気信号によって電流値を制御する能動素子であって、該ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流が略垂直方向に流れる能動素子において、該能動素子の断面からみたゲート電極設置数とチャネル幅との関係が、次の式{チャネル幅(μm)-(チャネル幅方向から見たゲート電極幅(μm)×ゲート電極の設置数)}/ゲート電極の設置数>0.2μm (1)を満たすものとする。

請求項（抜粋）：

ソース電極、半導体層及びドレイン電極が順次積層され、該半導体層中の略中央部分に間隔をあけて該ソース電極及びドレイン電極と略平行に配置された複数の棒状のゲート電極又は1つのドーナツ状のゲート電極が積層された、電気信号によって電流値を制御する能動素子であって、該ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流が略垂直方向に流れる能動素子において、該能動素子の断面からみたゲート電極設置数とチャネル幅との関係が、次の式 {チャネル幅(μm)-(チャネル幅方向から見たゲート電極幅(μm)×ゲート電極の設置数)}/ゲート電極の設置数>0.2μm (1)を満たすことを特徴とする能動素子。

IPC (8件)：

H01L 29/80 , G09F 9/30 330 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 348 , G09F 9/35 , H01L 27/095 , H01L 29/43 , H01L 51/00

FI (8件)：

G09F 9/30 330 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 348 A , G09F 9/35 , H01L 29/80 V , H01L 29/80 E , H01L 29/28 , H01L 29/62 G

Fターム (37件)：

4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 5C094AA03 , 5C094AA10 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5F102FB01 , 5F102FB05 , 5F102GA19 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ01 , 5F102GT01 , 5F102GT03

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭59-079575
半導体デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-246525 出願人：財団法人半導体研究振興会
チャネル構造を有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-165422 出願人：東洋電機製造株式会社

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