特許
J-GLOBAL ID：200903082194984237

多孔質窒化ケイ素セラミックスおよびその製造方法

発明者：
宮永 倫正

宮永 倫正 について

, 
小村 修

小村 修 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 中野 稔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-006821
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160384
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：
【要約】【課題】 均一かつ微細な閉気孔を有する多孔質窒化ケイ素セラミックスとその製造方法を得る。【解決手段】 金属Si粉末と焼結助剤を混合し、特定の粒界相を形成するための前処理である熱処理を行った後、マイクロ波加熱により1000°C以上の温度で2段階の熱処理を行うことにより、金属Si粉末をその表面から窒化反応させ、金属Siを該金属Siの外殻に形成した窒化物へ拡散させることで、均一かつ微細な閉気孔を有する多孔質窒化ケイ素セラミックスを得る。この多孔質窒化ケイ素セラミックスは閉気孔の割合が高く、電気的、機械的特性に優れているので、耐吸湿性と低誘電率、低誘電損失が要求され、また機械的強度も必要である電子回路基板などに用いれば優れた特性を発揮する。
請求項（抜粋）：
相対密度が70%未満であり、全気孔中の閉気孔の割合が50%以上であることを特徴とする多孔質窒化ケイ素セラミックス。
IPC (5件)：
C04B 38/00 303 ,  C04B 38/00 304 ,  C04B 35/584 ,  C04B 35/591 ,  H05K 1/03 610
FI (5件)：
C04B 38/00 303 Z ,  C04B 38/00 304 Z ,  H05K 1/03 610 D ,  C04B 35/58 102 W ,  C04B 35/58 102 T
Fターム (16件)：
4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA62 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB22 ,  4G001BC48 ,  4G001BC54 ,  4G001BC57 ,  4G001BC63 ,  4G001BD23 ,  4G001BE01 ,  4G001BE31 ,  4G019FA11 ,  4G019FA15 ,  4G019GA04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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