特許

J-GLOBAL ID：200903082236021752

酸化亜鉛薄膜、及びそれを用いた透明導電膜、及び表示素子

発明者： 今西 泰雄 ,  西村 悦子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-226245
公開番号（公開出願番号）：特開2009-057605
出願日： 2007年08月31日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】所望の結晶性を有する酸化亜鉛薄膜を形成する。【解決手段】基板上に積層された酸化亜鉛薄膜であって、ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、該結晶性薄膜のc軸が基板に略垂直方向に配向しており、かつ該結晶性薄膜のc軸方向の極性面の一つである亜鉛面が最上層に形成されているものである。また、基板上に積層された酸化亜鉛薄膜であって、ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、金属薄膜層上に薄膜形成技術によって形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に積層された酸化亜鉛薄膜において、 ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、 該結晶性薄膜のc軸が基板に略垂直方向に配向しており、かつ該結晶性薄膜のc軸方向の極性面の一つである亜鉛面が最上層に形成されていることを特徴とする酸化亜鉛薄膜。

IPC (8件)：

C23C 14/08 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  G02F 1/134 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28 ,  C30B 29/16

FI (8件)：

C23C14/08 C ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  G02F1/1343 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28 ,  C30B29/16

Fターム (45件)：

2H092HA03 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA35 ,  2H092NA28 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107DD22 ,  3K107DD24 ,  3K107DD44X ,  3K107DD46X ,  3K107FF15 ,  3K107GG05 ,  3K107GG28 ,  4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA02 ,  4G077DA11 ,  4G077EA02 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA18 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC09 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029FA01 ,  4K029KA09 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 透明導電膜および光電変換半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-246666   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (5件)

• ZnO系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-059025   出願人：ローム株式会社
• 半導体薄膜の形成方法およびその方法を用いて製造された半導体薄膜付き基板およびその半導体薄膜付き基板を用いた半導体デバイス。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-071746   出願人：吉川明彦, 双葉電子工業株式会社
• 結晶性酸化亜鉛(ZnO)薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-251818   出願人：国立大学法人東京工業大学
• 透明導電膜及び電界放出形表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-073984   出願人：双葉電子工業株式会社
• 特開昭62-122011