特許
J-GLOBAL ID：200903082268110560

磁気抵抗効果センサの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
佐々木 徹郎

佐々木 徹郎 について

, 
土屋 芳弘

土屋 芳弘 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-399099
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198008
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 さらに大きなMR比及び抵抗変化ΔRsを得ることができる新規なMRセンサの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 導電性を有する反強磁性層と、反強磁性層との交換結合により磁化方向が固定される磁化固定層と、非磁性中間層と、印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層とを少なくとも積層するMRセンサの製造方法であって、非磁性中間層を成膜し、成膜した非磁性中間層の表面を、酸素を含むガスプラズマ、酸素ラジカル若しくは酸素イオン中に少なくとも1回曝露するか、又は非磁性中間層を途中まで成膜し、途中まで成膜した非磁性中間層の表面を、酸素を含むガスプラズマ中に少なくとも1回曝露した後、非磁性中間層の残りを成膜する。
請求項（抜粋）：
導電性を有する反強磁性層と、該反強磁性層との交換結合により磁化方向が固定される磁化固定層と、非磁性中間層と、印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層とを少なくとも積層する磁気抵抗効果センサの製造方法であって、前記非磁性中間層を成膜し、該成膜した非磁性中間層の表面を、酸素を含むガスプラズマ中に少なくとも1回曝露することを特徴とする磁気抵抗効果センサの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R
Fターム (5件)：
2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034DA07
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM