特許
J-GLOBAL ID：200903061865015563

スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法

発明者：
恒川 孝二

恒川 孝二 について

, 
中嶋 大輔

中嶋 大輔 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-278723
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086866
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 高い磁気抵抗変化率(MR比)と低い層間結合磁界(Hin)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に緩衝層、反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層、磁化自由層、保護層が連続的に積層されたスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高MR比が得られるようにする。
請求項（抜粋）：
基板上に堆積される緩衝層と、非磁性伝導層とこれを挟む磁化固定層および磁化自由層と前記磁化固定層の隣りに形成される反強磁性層とから成る多層部と、最上位に堆積される保護層とから構成されるスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法において、前記非磁性伝導層と前記緩衝層との間に形成された複数の界面のうち少なくとも1箇所をプラズマ処理することを特徴とするスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R
Fターム (6件)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034CA00 ,  5D034DA07
引用特許：
審査官引用 (10件)
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