特許

J-GLOBAL ID：200903082290904457

基板処理方法

発明者： 戸島 孝之 ,  飯野 正
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-224751
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071620
出願日： 2002年08月01日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】形状精度に優れた溝配線要素を形成する基板処理方法を提供する。【解決手段】ウエハWの表面に多孔質low-k膜62を形成し、その上に所定の回路パターンを有するレジスト膜64を形成する。次いで、ウエハWをエッチング処理して、多孔質low-k膜62に溝配線要素を形成する。その後、水蒸気とオゾンを含む処理ガスによってレジスト膜64を変性させ、続いてウエハWを洗浄液で処理して、ウエハWからレジスト膜64を除去する。【選択図】 図10

請求項（抜粋）：

有機質膜を備えた基板に水蒸気とオゾンを含む処理ガスを供給して前記有機質膜を変性させる工程と、 前記基板を水または有機溶剤で処理することによって前記基板から前記変性した有機質膜を除去する工程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (6件)：

H01L21/3065 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768

FI (6件)：

H01L21/302 104H ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 Z ,  H01L21/308 E ,  H01L21/90 A ,  H01L21/30 572B

Fターム (41件)：

2H096AA25 ,  2H096CA06 ,  2H096CA07 ,  2H096LA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA19 ,  5F004BB18 ,  5F004BB24 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BC07 ,  5F004BD07 ,  5F004CA04 ,  5F004DA25 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F004EA22 ,  5F004EA34 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033XX21 ,  5F043AA40 ,  5F043BB25 ,  5F043CC16 ,  5F046MA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-331555   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
• フォトレジスト除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-107781   出願人：三菱電機株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-000982   出願人：東京エレクトロン株式会社
• レジスト除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-352256   出願人：株式会社日立製作所
• レジスト除去方法およびレジスト除去装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-041399   出願人：ソニー株式会社