誘電膜上のパッシベーション膜と共に金属-絶縁体-金属キャパシタ(METAL-INSULATOR-METALMIMCAPACITORS)を形成する方法及びその素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-208185
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049139
出願日： 2006年07月31日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】デュアルダマシン工程を用いて集積回路に構造物を形成する方法を提供する。【解決手段】MIMキャパシタの誘電膜を形成する方法であって、MIMキャパシタの誘電膜33a上にパッシベーション膜41aを形成する段階と、MIMキャパシタの誘電膜33aが上部フォトレジストパターンと直接接触しないように分離させる段階と、を含む。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

金属-絶縁体-金属で構成されるMIMキャパシタの誘電膜を形成する方法であって、前記MIMキャパシタの誘電膜上にパッシベーション膜を形成する段階と、前記MIMキャパシタの誘電膜が上部フォトレジストパターンと直接接触されないように分離させる段階と、を含むことを特徴とするMIMキャパシタの誘電膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (1件)：

H01L27/04 C

Fターム (7件)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038CA13 , 5F038CD20 , 5F038DF05 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第5926359号明細書
米国特許第6180976号明細書
大韓民国特許出願第2004-86682号

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-311405 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法及びその半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-214058 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
多層配線層内に形成されたキャパシタを有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-218399 出願人：株式会社東芝

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