特許
J-GLOBAL ID：200903082308268081

自立した窒化ガリウム単結晶基板とその製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
河口 裕介

河口 裕介 について

, 
目黒 健

目黒 健 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (7件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岡本 芳明 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-354454
公開番号（公開出願番号）：特開2007-153712
出願日： 2005年12月08日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】基板ホルダーとの密着度を良くし、かつGaN自立基板の反りを減らすことにより、窒化物半導体素子の良品歩留率を向上させることができる自立した窒化ガリウム単結晶基板とその製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】表面(Ga面)2が鏡面に研磨され、かつ裏面(N面)3の算術平均粗さRaをラップ後のエッチング処理により1μm以上、10μm以下(気相成長装置の基板ホルダーと面接触する粗さ)としたGaN自立基板1を用いて、窒化物半導体素子を気相成長法により製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面(Ga面)が鏡面に研磨された、自立した窒化ガリウム単結晶基板において、裏面(N面)の算術平均粗さRaが1μm以上、10μm以下であることを特徴とする自立した窒化ガリウム半導体単結晶基板。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/304
FI (7件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/306 B ,  H01L33/00 C ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622W
Fターム (23件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077FG11 ,  4G077FG17 ,  4G077HA12 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030DA08 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043DD02 ,  5F043FF07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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