特許
J-GLOBAL ID：200903082442534383
微細構造体の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-370085
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200577
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】簡易な工程で3次元の微細な形状を形成する。【解決手段】基板11上に、エポキシ樹脂系フォトレジストを塗布し、50〜90°Cで加熱し、溶媒を除去してレジスト層12を形成する。紙面垂直方向に延びるV溝を有する型13を、レジスト層12が形成された基板11上にスペーサを介して設置し、基板11と型13とアライメントする。次に、加圧、加熱手段を有するステージ上に型13と基板11とをセットし、ガラス転移点近傍の60°Cまで加熱し、型13を型押し方向17に沿って基板11に押し付ける。その後、常圧に戻し冷却する。レジスト層12が形成された基板11から型13を剥がす。レジスト層12に、ガラス基板14a表面にCr膜14bによるパターンを有するフォトマスク14を通して紫外光15を照射する。露光された領域16では、露光により感光剤から発生した酸により樹脂が架橋されて硬化する。レジスト層12を現像液で現像し、リンスを行った後、領域16を硬化させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を型により成形する工程と、
該成形されたレジスト層の一部を選択的に露光する工程と、
該露光されたレジスト層を現像して、前記露光された領域および該露光された領域以外の領域の一方を残し、他方を除去する工程とからなることを特徴とする微細構造体の形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/027
, B81C1/00
, G03F7/20
H01L21/30 576
, B81C1/00
, G03F7/20 501
2H097LA15
, 5F046AA26
, 5F046AA28
