特許

J-GLOBAL ID：200903082546474170

強誘電体メモリ

発明者： 樋山 邦夫 ,  坪井 秀樹 ,  岡田 升宏 ,  真田 徳雄 ,  飯島 高志
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社 ,  工業技術院長
代理人 (2件)： 藤巻 正憲 ,  藤巻 正憲 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284566
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114484
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流を低くすると共に、耐疲労特性を向上させることができる強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 Alを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層6と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層5とを有する。

請求項（抜粋）：

Alを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層とを有することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (10件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C04B 35/49 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 27/10 651 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/10 451 ,  C04B 35/49 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

Fターム (33件)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA29 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA03 ,  4G031CA08 ,  5F001AA17 ,  5F001AE50 ,  5F001AF07 ,  5F001AF25 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ01 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA45 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA06 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特表平4-506791
  
• 強誘電体膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-333827   出願人：シャープ株式会社
• 誘電体薄膜素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-295055   出願人：株式会社村田製作所
• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-213234   出願人：ヤマハ株式会社
• 強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-284560   出願人：ヤマハ株式会社, 工業技術院長

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ELECTRICAL AFTER-EFFECTS IN Pb(Ti,Zr)O3 CERAMICS