特許
J-GLOBAL ID：200903082561723003
マスクパターンデータ作成方法、パターン形成方法、レチクルの補正方法、レチクルの作成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-047474
公開番号（公開出願番号）：特開2005-275386
出願日： 2005年02月23日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】複数のレジスト膜を重ね合わせてマスクを形成し、被加工膜を加工する技術において、被加工膜の加工寸法の精度の向上を図る。【解決手段】マトリクス配置されたグリッド点に対して、一部のグリッド点上にコンタクトホールが配置された設計パターンデータを用意する(ステップST11)。全ての前記グリッド点上に第1の開口パターンが配置された第1のマスクパターンデータを用意する(ステップST12)。前記設計パターンデータにおいて、前記コンタクトホールが配置されている前記グリッド点上に第1の開口パターンを含むように配置された第2の開口パターンと、単位格子を構成する四つの前記グリッド点の内、対角上の一対の前記グリッド点上のみにコンタクトホールが配置された一対の前記グリッド点上に配置された第2の開口パターンとが重ね合わされた第2のマスクパターンデータを設計する(ステップST13〜ステップST15)。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
マトリクス配置されたグリッド点に対して、一部のグリッド点上にコンタクトホールが配置された設計パターンデータを用意する工程と、
全ての前記グリッド点上に第1の開口パターンが配置された第1のマスクパターンデータを用意する工程と、
前記設計パターンデータにおいて、前記コンタクトホールが配置されている前記グリッド点上に第1の開口パターンを含むように配置された第2の開口パターンと、単位格子を構成する四つの前記グリッド点の内、対角上の一対のグリッド点上のみにコンタクトホールが配置された該一対のグリッド点に関しては、前記第二の開口パターンの代わりに前記一対のグリット点上に配置された第一の開口パターンを含むように配置された第3の開口パターンからなる第2のマスクパターンデータを設計する工程とを含むことを特徴とするマスクパターンデータ作成方法。
IPC (3件)：
G03F1/08
, G03F7/20
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 516Z
2H095BA01
, 2H095BB02
, 2H095BC02
, 5F046AA25
, 5F046BA03
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (1件)
前のページに戻る
