特許
J-GLOBAL ID:200903082741572615

電流センサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-166576
公開番号(公開出願番号):特開2009-002911
出願日: 2007年06月25日
公開日(公表日): 2009年01月08日
要約:
【課題】検出対象電流による誘導磁界をより高精度に検出可能な電流センサを提供する。【解決手段】第1および第2のモジュール10,20は、それぞれ、スペーサ103,104を介して対向配置された集積基板101,102の対向する面101S,102Sに設けられている。第1および第2のモジュール10,20は、それぞれ、素子基板11,21とMR素子層12,22と薄膜コイル層13,23とを備える。MR素子層12,22には、一定方向に固着された磁化方向を有する固着層と、非磁性の中間層と、誘導磁界に応じて磁化方向が変化すると共に固着層の磁化方向と異なる方向の異方性磁界を発現する自由層とを含む積層構造をそれぞれ有するMR素子が設けられている。ここで、それらの積層構造は、その積層面に沿った同一階層に設けられている。【選択図】図3
請求項(抜粋):
検出対象電流の供給により誘導磁界を発生する導体の近傍に配置され、前記検出対象電流を検出する電流センサであって、 一定方向に固着された磁化方向を有する固着層と、非磁性の中間層と、前記誘導磁界に応じて磁化方向が変化すると共に前記固着層の磁化方向と異なる方向の異方性磁界を発現する自由層とを含む積層構造をそれぞれ有する第1および第2の磁気抵抗効果素子を備え、 前記第1および第2の磁気抵抗効果素子における各積層構造が同一階層に設けられ、 前記第1の磁気抵抗効果素子の抵抗値と前記第2の磁気抵抗効果素子の抵抗値とが前記誘導磁界に応じて互いに逆方向に変化する ことを特徴とする電流センサ。
IPC (2件):
G01R 15/20 ,  H01L 43/08
FI (2件):
G01R15/02 B ,  H01L43/08 Z
Fターム (17件):
2G025AA00 ,  2G025AB01 ,  2G025AC01 ,  5F092AB01 ,  5F092AC08 ,  5F092AD06 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092CA23 ,  5F092DA01 ,  5F092DA03 ,  5F092EA08
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特公平7-123090号公報
審査官引用 (7件)
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